碳化硅陶瓷烧结方法 反应烧结碳化硅
方法主要有以下两种：
1. 真空烧结法
碳化硅陶瓷真空烧结法是在真空条件下对碳化硅粉末进行烧结制备的方法。此方法内部空间无气体，利于消除氧化反应，有利于碳化硅纯度的提高，避免了表面积过小导致的成品不一致。真空条件下，碳化硅陶瓷烧结时无需使用助熔剂，生产的制品具有良好的耐磨性和较高的硬度。
2. 热压烧结法
碳化硅陶瓷热压烧结法是将碳化硅粉末和一定量的碳质颗粒分别作为原料，经压制成型后进行烧结制备的方法。此方法可以在相对较低的温度下，通过大规模的机械压制，使得原始颗粒质地得以稳定，并有助于形成高密度的陶瓷，从而使得成品的密度和硬度得以提高。此方法能够制备成高密度的碳化硅陶瓷，具有较高的耐高温性能和较好的耐磨性能，因此成品被广泛应用于高温、高载荷、高衬板、热工业、电子加工等领域。